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もっとくわしいないよう

タイトル 半導体材料とデバイス
タイトルヨミ ハンドウタイ/ザイリョウ/ト/デバイス
タイトル標目(ローマ字形) Handotai/zairyo/to/debaisu
シリーズ名 シリーズ現代工学入門
シリーズ名標目(カタカナ形) シリーズ/ゲンダイ/コウガク/ニュウモン
シリーズ名標目(ローマ字形) Shirizu/gendai/kogaku/nyumon
シリーズ名標目(典拠コード) 606979600000000
版および書誌的来歴に関する注記 「岩波講座現代工学の基礎 10材料系7」(2001年刊)の改題
版および書誌的来歴のタイトル標目(カタカナ形) イワナミ/コウザ/ゲンダイ/コウガク/ノ/キソ
版および書誌的来歴のタイトル標目(ローマ字形) Iwanami/koza/gendai/kogaku/no/kiso
著者 松波/弘之‖著
著者ヨミ マツナミ,ヒロユキ
著者標目(漢字形(西洋人以外の統一形)) 松波/弘之
著者標目(ローマ字形) Matsunami,Hiroyuki
著者標目(著者紹介) 1939年生まれ。京都大学名誉教授。科学技術振興機構研究成果活用プラザ京都館長。
記述形典拠コード 110000921560000
著者標目(統一形典拠コード) 110000921560000
著者 尾江/邦重‖著
著者ヨミ オエ,クニシゲ
著者標目(漢字形(西洋人以外の統一形)) 尾江/邦重
著者標目(ローマ字形) Oe,Kunishige
著者標目(著者紹介) 1948年生まれ。京都工芸繊維大学工芸学部電子情報工学科教授。
記述形典拠コード 110003609220000
著者標目(統一形典拠コード) 110003609220000
件名標目(漢字形) 半導体
件名標目(カタカナ形) ハンドウタイ
件名標目(ローマ字形) Handotai
件名標目(典拠コード) 511311800000000
件名標目(漢字形) 電子部品
件名標目(カタカナ形) デンシ/ブヒン
件名標目(ローマ字形) Denshi/buhin
件名標目(典拠コード) 511216700000000
出版者 岩波書店
出版者ヨミ イワナミ/ショテン
出版者・頒布者等標目(ローマ字形) Iwanami/Shoten
本体価格 ¥2800
内容紹介 材料の基本物性と機能を理解し、デバイスの動作原理と仕組みを学ぶ入門書。ダイオードからエネルギー、最新のパワー半導体デバイスまでを解説。2001年刊「岩波講座現代工学の基礎 10材料系7」の改題。
ジャンル名 01
ジャンル名(図書詳細) 120080080000
ISBN(10桁) 4-00-006937-3
ISBNに対応する出版年月 2005.5
TRCMARCNo. 05023870
Gコード 31532188
出版地,頒布地等 東京
出版年月,頒布年月等 2005.5
出版者・頒布者等標目(出版年月,頒布年月等(数字)) 200505
出版者・頒布者等標目(出版者コード) 0365
出版者典拠コード 310000160850000
ページ数等 13,186p
大きさ 22cm
刊行形態区分 A
NDC8版 549.8
NDC9版 549.8
図書記号 マハ
図書記号(単一標目指示) 751A01
利用対象 O
『週刊新刊全点案内』号数 1423
ストックブックスコード SB
テキストの言語 jpn
出版国コード JP
索引フラグ 1
データレベル F
更新レベル 0002
MARC種別 A
周辺ファイルの種類 D
最終更新日付 20050520
一般的処理データ 20050516 2005 JPN
レコード作成機関(国名コード) JP
レコード作成機関(レコード作成機関名) TRC
レコード作成機関(レコード提供年月日) 20050516
レコード作成機関(目録規則) NCR1987
レコード作成機関(システムコード) trcmarc
和洋区分 0

内容細目

第1階層目次タイトル 1 半導体の進歩
第2階層目次タイトル 1.1 今日の生活と半導体デバイス
第2階層目次タイトル 1.2 半導体発展の歴史
第1階層目次タイトル 2 半導体材料物性
第2階層目次タイトル 2.1 導体と絶縁体,半導体
第2階層目次タイトル 2.2 n型半導体とp型半導体
第2階層目次タイトル 2.3 多数キャリヤと少数キャリヤ
第2階層目次タイトル 2.4 半導体の電気伝導
第2階層目次タイトル 2.5 半導体の光学的性質
第2階層目次タイトル 2.6 シリコンとⅢ-Ⅴ族半導体
第1階層目次タイトル 3 ダイオードとトランジスタ
第2階層目次タイトル 3.1 ショットキー電極とオーム性電極
第2階層目次タイトル 3.2 pn接合の基礎
第2階層目次タイトル 3.3 MOSダイオード
第2階層目次タイトル 3.4 バイポーラトランジスタ
第2階層目次タイトル 3.5 MOS電界効果トランジスタ(MOSFET)
第2階層目次タイトル 3.6 その他の電界効果トランジスタ
第1階層目次タイトル 4 発光・受光デバイス
第2階層目次タイトル 4.1 発光ダイオード
第2階層目次タイトル 4.2 半導体レーザ
第2階層目次タイトル 4.3 フォトディテクタ
第1階層目次タイトル 5 情報信号処理用デバイスと材料
第2階層目次タイトル 5.1 トランジスタのスイッチング特性
第2階層目次タイトル 5.2 集積回路
第2階層目次タイトル 5.3 論理回路とメモリ
第1階層目次タイトル 6 通信用材料とデバイス
第2階層目次タイトル 6.1 光ファイバ通信用材料とデバイス
第2階層目次タイトル 6.2 無線通信用デバイス
第1階層目次タイトル 7 電力用デバイスと材料
第2階層目次タイトル 7.1 太陽電池
第2階層目次タイトル 7.2 パワー半導体デバイス
第1階層目次タイトル 8 センサ用デバイスと材料
第2階層目次タイトル 8.1 光センサ
第2階層目次タイトル 8.2 CCD-半導体で作る眼
第2階層目次タイトル 8.3 温度センサ
第2階層目次タイトル 8.4 圧力センサ
第2階層目次タイトル 8.5 その他のセンサ
第1階層目次タイトル 9 将来のエレクトロニクス
第1階層目次タイトル 付録 拡散方程式について
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